Berhentilah membazir masa untuk mengeringkan wafer MEMS anda. Jika anda masih menggunakan udara panas untuk tujuan tersebut setelah proses pengikisan atau pembersihan, sebenarnya anda hanya membuang masa tanpa sebab yang munasabah. Saya sering melihat perkara ini berlaku di banyak kilang. Udara panas memang kelihatan efektif, tetapi ia sangat perlahan. Udara perlu dipanaskan terlebih dahulu, kemudian barulah udara tersebut dapat memanaskan wafer. Proses ini memanjangkan masa yang diperlukan untuk menyelesaikan kerja tersebut.
Inilah kelebihan penggunaan pemanas inframerah (IR). Pemanas IR tidak memerlukan udara untuk memanaskan wafer. Ia mengeluarkan radiasi elektromagnetik terus ke permukaan wafer. Suhu yang diinginkan dapat dicapai dalam beberapa saat sahaja, bukan minit-minit.
Dalam proses pemprosesan semikonduktor yang kompleks, masa yang dijimatkan ini sangat penting. Wafer dapat diproses dengan lebih cepat, dan prosesnya akan menjadi lebih lancar. Namun, perlu diingat bahawa IR merupakan kaedah yang agresif. Ia menghasilkan haba yang sangat tinggi. Jika sistem kawalan PID tidak disetkan dengan betul, ia boleh menyebabkan masalah pada struktur MEMS atau menyebabkan wafer menjadi terlalu panas. Anda memerlukan sistem maklum balas yang baik agar prosesnya berjalan lancar.
Udara panas pula kurang efektif. IR pula tidak memberi peluang kesilapan. Namun, jika anda bekerja dalam skala yang besar, IR merupakan pilihan yang terbaik. Stesen penggunaan IR lebih kecil berbanding ketuhar konvektif yang besar, jadi anda dapat menyelesaikan lebih banyak kerja tanpa menghabiskan ruang yang banyak.
Selain itu, konsistensi suhu yang dihasilkan oleh IR sangat baik. Suhu yang sama dapat dicapai di seluruh permukaan wafer. Tidak perlu risau lagi tentang bintik-bintik air atau sisa kimia yang timbul akibat aliran udara yang tidak normal.
Jika anda ingin meningkatkan kapasiti pengeluaran, inilah setup yang sesuai. Namun, pastikan sistem penyejukan anda mampu menangani haba yang dihasilkan oleh IR. Anda tidak mahu alat-alat lain rosak semasa proses pengeringan wafer berlangsung.