
Trên dây chuyền sản xuất, ngay trước giai đoạn đóng gói, wafer được lấy ra khỏi quy trình làm sạch cuối cùng; lúc này, thời gian bắt đầu tính từ lúc đó. Bất kỳ hơi ẩm nào còn sót lại trên bề mặt wafer đều có thể gây ra các vấn đề như khuyết tật bề mặt, tình trạng tách lớp, và giảm hiệu suất sản xuất. Ngay cả sự thay đổi nhỏ về nhiệt độ cũng có thể làm ảnh hưởng đến chất lượng của lớp phim ánh sáng được sử dụng trong quy trình sản xuất. Do đó, việc làm khô wafer cần được thực hiện một cách chính xác, tương tự như quy trình in ấn, nhưng vẫn phải đảm bảo tiến độ đóng gói.
Những yếu tố quan trọng Chúng tôi duy trì độ đồng đều về nhiệt độ trên toàn bộ bề mặt wafer ở mức ±0,1°C; độ lặp lại của giá trị nhiệt độ được kiểm soát ở mức ±0,2°C. Các bộ sưởi sử dụng tia hồng ngoại cấp ngắn, kết hợp với các cửa sổ bằng thạch anh để truyền năng lượng một cách nhanh chóng và hiệu quả. Các thành phần được làm từ sợi carbon giúp tăng độ ổn định về mặt cơ học. Trong các phòng sạch loại 1–100, số lượng hạt bụi không vượt quá 0,1 hạt/cm² ở kích thước 0,1 μm.
Hiệu suất hoạt động của thiết bị có thể duy trì ổn định trong hơn 5.000 giờ, với mức sai số về cường độ nhiệt dưới 5%. Hệ thống điều khiển sử dụng công nghệ SECS/GEM; hệ thống nhiệt được thiết kế để hoạt động liên tục 24/7.
Tại sao thiết bị này phù hợp cho giai đoạn tiền đóng gói? Thiết bị này được thiết kế dành riêng cho việc làm khô wafer trước khi đóng gói. Quá trình tăng nhiệt diễn ra nhanh chóng, giúp rút ngắn thời gian xử lý mà không ảnh hưởng đến chất lượng wafer. Việc loại bỏ hoàn toàn hạt bụi giúp bảo vệ bề mặt wafer khỏi bụi bẩn; độ đồng đều về nhiệt độ giúp bảo vệ cấu trúc của lớp phim ánh sáng đã được tạo ra trong quy trình xử lý.
Việc sử dụng năng lượng cũng được giảm thiểu nhờ việc các bộ sưởi có thể đạt đến nhiệt độ mong muốn một cách nhanh chóng và duy trì nhiệt độ đó ổn định. Kết quả là số lần phải làm lại giảm đi, kích thước của wafer vẫn ổn định, và hiệu suất sản xuất có thể được dự đoán một cách chính xác.
Những gì bạn cần để vận hành thiết bị này Bạn cần một nguồn điện 208–240 V ổn định, cùng với không khí sạch và khô ở áp suất 4–6 bar. Kích thước của thiết bị khá nhỏ, nhưng cần để lại khoảng trống xung quanh cửa sổ thạch anh để thuận tiện cho việc thoát khí và tiếp cận thiết bị. Việc kết nối thiết bị với các thiết bị xử lý hiện có khá đơn giản, nhưng bạn nên thử nghiệm trước để điều chỉnh các thông số và đảm bảo rằng wafer được xử lý một cách chính xác.
Thời gian tích hợp thiết bị vào hệ thống sản xuất khoảng hai tuần, bao gồm cả việc điều chỉnh các thông số SECS/GEM.