半導体デバイスの特性評価用ヒーター

ファブ内では、ウェーハレベルでの特性評価やフォトレジストの焼成時の温度変動は、単なる抽象的な数値に過ぎません。実際には、線幅の誤差や残留膜の発生、歩留まりの低下といった形で現れます。私たちは、このような変動を排除するための半導体デバイス特性評価用ヒーターを開発しました。これにより、熱管理がプロセス...